Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSB053N03LP G
Herstellerteilenummer | BSB053N03LP G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSB053N03LP G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSB053N03LP G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 17A (Ta), 71A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paket / fall | 3-WDSON |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB053N03LP G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSB053N03LP G-FT |
IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
IPL60R199CPAUMA1
Infineon Technologies
IPL60R299CPAUMA1
Infineon Technologies
IPL60R385CPAUMA1
Infineon Technologies
SPW20N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW47N60C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel