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Infineon Technologies BSB053N03LP G

Name: BSB053N03LP G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB053N03LP G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (794 reviews)

MFG-Teilenummer: BSB053N03LP G

verfügbare Anzahl: 23530 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSB053N03LP G.pdf

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BSB053N03LP G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSB053N03LP G
Zukünftige Teilenummer	FT-BSB053N03LP G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSB053N03LP G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	17A (Ta), 71A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.3W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall	3-WDSON
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB053N03LP G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSB053N03LP G-FT

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