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Infineon Technologies BSB165N15NZ3GXUMA1

Name: BSB165N15NZ3GXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB165N15NZ3GXUMA1
Price: 1.363736 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (800 reviews)

MFG-Teilenummer: BSB165N15NZ3GXUMA1

verfügbare Anzahl: 69720 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSB165N15NZ3GXUMA1.pdf

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BSB165N15NZ3GXUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSB165N15NZ3GXUMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSB165N15NZ3GXUMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSB165N15NZ3GXUMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 110µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 75V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall	3-WDSON
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB165N15NZ3GXUMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSB165N15NZ3GXUMA1-FT

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