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Infineon Technologies BSC010N04LSIATMA1

Name: BSC010N04LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010N04LSIATMA1
Price: 1.327872 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (20 reviews)

MFG-Teilenummer: BSC010N04LSIATMA1

verfügbare Anzahl: 65600 Stücke

Referenzpreis: USD 1.327872

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSC010N04LSIATMA1.pdf

BSC010N04LSIATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSC010N04LSIATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSC010N04LSIATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSC010N04LSIATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	37A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6200pF @ 20V
FET-Funktion	Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 139W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8 FL
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC010N04LSIATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSC010N04LSIATMA1-FT

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