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Herstellerteilenummer | BSC024NE2LSATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSC024NE2LSATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC024NE2LSATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 25A (Ta), 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 12V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC024NE2LSATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC024NE2LSATMA1-FT |
IRF7834TRPBF
Infineon Technologies
IRF7842PBF
Infineon Technologies
IRF7842TR
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IRF7862TRPBF
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XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
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LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
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LFE2-50E-6F484I
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LCMXO3L-2100C-5BG256I
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LFE3-35EA-7FN672I
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