Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSC028N06NSTATMA1
Herstellerteilenummer | BSC028N06NSTATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSC028N06NSTATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC028N06NSTATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 50µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3375pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC028N06NSTATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC028N06NSTATMA1-FT |
BSC014NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC010NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC050N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC009NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC100N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ040N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ058N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Infineon Technologies
BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel