Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSC030P03NS3GAUMA1
Herstellerteilenummer | BSC030P03NS3GAUMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSC030P03NS3GAUMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC030P03NS3GAUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 25.4A (Ta), 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 345µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC030P03NS3GAUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC030P03NS3GAUMA1-FT |
IRF7809
Infineon Technologies
IRF7809A
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Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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