Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSC057N03MSGATMA1
Herstellerteilenummer | BSC057N03MSGATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSC057N03MSGATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC057N03MSGATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 15A (Ta), 71A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC057N03MSGATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC057N03MSGATMA1-FT |
BSC034N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC036NE7NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
BSC0906NSATMA1
Infineon Technologies
BSC090N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC120N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC130P03LSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC160N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation