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Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1

Name: BSC072N03LDGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC072N03LDGATMA1
Price: 0.465704 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (583 reviews)

MFG-Teilenummer: BSC072N03LDGATMA1

verfügbare Anzahl: 66840 Stücke

Referenzpreis: USD 0.465704

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSC072N03LDGATMA1.pdf

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BSC072N03LDGATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSC072N03LDGATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSC072N03LDGATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSC072N03LDGATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 15V
Leistung max	57W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-PowerVDFN
Supplier Device Package	PG-TDSON-8 Dual
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC072N03LDGATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSC072N03LDGATMA1-FT

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