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Herstellerteilenummer | BSC16DN25NS3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSC16DN25NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC16DN25NS3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 62.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC16DN25NS3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC16DN25NS3GATMA1-FT |
IRF7831TRPBF
Infineon Technologies
IRF7832PBF
Infineon Technologies
IRF7832TR
Infineon Technologies
IRF7832Z
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IRF7832ZTR
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IRF7834
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IRF7834PBF
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IRF7834TR
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IRF7834TRPBF
Infineon Technologies
IRF7842PBF
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel