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Herstellerteilenummer | BSC16DN25NS3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSC16DN25NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC16DN25NS3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 62.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC16DN25NS3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC16DN25NS3GATMA1-FT |
IRF7831TRPBF
Infineon Technologies
IRF7832PBF
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IRF7832TR
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IRF7832ZTR
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Infineon Technologies
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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