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Herstellerteilenummer | BSC16DN25NS3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSC16DN25NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC16DN25NS3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 62.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC16DN25NS3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC16DN25NS3GATMA1-FT |
IRF7831TRPBF
Infineon Technologies
IRF7832PBF
Infineon Technologies
IRF7832TR
Infineon Technologies
IRF7832Z
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IRF7832ZTR
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IRF7834
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IRF7834TR
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IRF7834TRPBF
Infineon Technologies
IRF7842PBF
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
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M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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