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Infineon Technologies BSC750N10NDGATMA1

MFG-Teilenummer
BSC750N10NDGATMA1
verfügbare Anzahl
56720 Stücke
Referenzpreis
USD 0.503272
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
BSC750N10NDGATMA1.pdf
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BSC750N10NDGATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSC750N10NDGATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-BSC750N10NDGATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
BSC750N10NDGATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 12µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 50V
Leistung max 26W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-PowerVDFN
Supplier Device Package PG-TDSON-8 Dual
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC750N10NDGATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSC750N10NDGATMA1-FT

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