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Infineon Technologies BSC882N03LSGATMA1

Name: BSC882N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC882N03LSGATMA1
Price: 0.29564 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (128 reviews)

MFG-Teilenummer: BSC882N03LSGATMA1

verfügbare Anzahl: 64180 Stücke

Referenzpreis: USD 0.29564

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH TDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSC882N03LSGATMA1.pdf

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BSC882N03LSGATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSC882N03LSGATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSC882N03LSGATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
BSC882N03LSGATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	34V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3700pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	-
Paket / fall	-
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC882N03LSGATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSC882N03LSGATMA1-FT

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