Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSF045N03MQ3 G
Herstellerteilenummer | BSF045N03MQ3 G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSF045N03MQ3 G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSF045N03MQ3 G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta), 63A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paket / fall | 3-WDSON |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSF045N03MQ3 G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSF045N03MQ3 G-FT |
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R037P7XKSA1
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