Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSF077N06NT3GXUMA1
Herstellerteilenummer | BSF077N06NT3GXUMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSF077N06NT3GXUMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSF077N06NT3GXUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta), 56A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 33µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.2W (Ta), 38W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paket / fall | 3-WDSON |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSF077N06NT3GXUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSF077N06NT3GXUMA1-FT |
SPW21N50C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099P7XKSA1
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