Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSF134N10NJ3GXUMA1
Herstellerteilenummer | BSF134N10NJ3GXUMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSF134N10NJ3GXUMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSF134N10NJ3GXUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.2W (Ta), 43W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paket / fall | 3-WDSON |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSF134N10NJ3GXUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSF134N10NJ3GXUMA1-FT |
IPW65R070C6FKSA1
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XC2V8000-4FFG1152I
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XC2V1500-5FF896I
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