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Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1

Name: BSG0810NDIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSG0810NDIATMA1
Price: 0.896896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (804 reviews)

MFG-Teilenummer: BSG0810NDIATMA1

verfügbare Anzahl: 84680 Stücke

Referenzpreis: USD 0.896896

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSG0810NDIATMA1.pdf

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BSG0810NDIATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSG0810NDIATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSG0810NDIATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSG0810NDIATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 12V
Leistung max	2.5W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-PowerTDFN
Supplier Device Package	PG-TISON-8
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSG0810NDIATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSG0810NDIATMA1-FT

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