Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSH111BKR
Herstellerteilenummer | BSH111BKR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSH111BKR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BSH111BKR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 210mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 302mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSH111BKR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSH111BKR-FT |
BUK964R2-80E,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R7-80E,118
Nexperia USA Inc.
BUK966R5-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK968R3-40E,118
NXP USA Inc.
BUK969R3-100E,118
Nexperia USA Inc.
PHB101NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB108NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ06LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08T,118
Nexperia USA Inc.
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel