Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / BSM100GB120DN2HOSA1
Herstellerteilenummer | BSM100GB120DN2HOSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSM100GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BSM100GB120DN2HOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Half Bridge |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 150A |
Leistung max | 800W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 2mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GB120DN2HOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSM100GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT150DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel