Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / BSM100GB120DN2KHOSA1
Herstellerteilenummer | BSM100GB120DN2KHOSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSM100GB120DN2KHOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BSM100GB120DN2KHOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Half Bridge |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 145A |
Leistung max | 700W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 2mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GB120DN2KHOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSM100GB120DN2KHOSA1-FT |
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel