Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / BSM10GD120DN2BOSA1
Herstellerteilenummer | BSM10GD120DN2BOSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSM10GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
BSM10GD120DN2BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | - |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Leistung max | - |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | - |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
Eingang | - |
NTC-Thermistor | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM10GD120DN2BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSM10GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I4L
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153C8G
Intel
EP2SGX90FF1508C5N
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel