Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / BSM150GB120DN2HOSA1
Herstellerteilenummer | BSM150GB120DN2HOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSM150GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BSM150GB120DN2HOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Half Bridge |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 210A |
Leistung max | 1250W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 150A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 2.8mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM150GB120DN2HOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSM150GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT25A120D1G
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M2GL025T-VFG256I
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A1415A-1VQ100I
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ICE65L01F-TVQ100C
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10CL080YF484I7G
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5SGXEB6R3F40C4
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LFE3-35EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC33-2X
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