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Rohm Semiconductor BSM180D12P3C007

Name: BSM180D12P3C007
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180D12P3C007
Price: 420.568 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (96 reviews)

MFG-Teilenummer: BSM180D12P3C007

verfügbare Anzahl: 46930 Stücke

Referenzpreis: USD 420.568

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Hersteller: Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung: - SIC POWER MODULE

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSM180D12P3C007.pdf

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BSM180D12P3C007 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSM180D12P3C007
Zukünftige Teilenummer	FT-BSM180D12P3C007
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
BSM180D12P3C007 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 50mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
Leistung max	880W
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	Module
Supplier Device Package	Module
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM180D12P3C007 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSM180D12P3C007-FT

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