Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / BSM35GD120DN2E3224BOSA1
Herstellerteilenummer | BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Three Phase Inverter |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50A |
Leistung max | 280W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSM35GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel