Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / BSM35GD120DN2E3224BOSA1
Herstellerteilenummer | BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Three Phase Inverter |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50A |
Leistung max | 280W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSM35GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation
LFEC6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-4FGG320C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1N
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
5AGXFB7H4F35I5
Intel