Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / BSM50GD120DN2BOSA1
Herstellerteilenummer | BSM50GD120DN2BOSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSM50GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BSM50GD120DN2BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Full Bridge |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 72A |
Leistung max | 350W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GD120DN2BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSM50GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel