Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Herstellerteilenummer | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Three Phase Inverter |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50A |
Leistung max | 350W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSM50GD120DN2E3226BOSA1-FT |
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel