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Infineon Technologies BSO080P03NS3EGXUMA1

MFG-Teilenummer
BSO080P03NS3EGXUMA1
verfügbare Anzahl
76280 Stücke
Referenzpreis
USD 0.3388
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
BSO080P03NS3EGXUMA1.pdf
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BSO080P03NS3EGXUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSO080P03NS3EGXUMA1
Zukünftige Teilenummer FT-BSO080P03NS3EGXUMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
BSO080P03NS3EGXUMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6750pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-DSO-8
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO080P03NS3EGXUMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSO080P03NS3EGXUMA1-FT

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