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Infineon Technologies BSO615NGHUMA1

Name: BSO615NGHUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO615NGHUMA1
Price: 0.356664 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (240 reviews)

MFG-Teilenummer: BSO615NGHUMA1

verfügbare Anzahl: 18840 Stücke

Referenzpreis: USD 0.356664

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: SIPMOS® MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSO615NGHUMA1.pdf

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BSO615NGHUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSO615NGHUMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSO615NGHUMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	SIPMOS®
BSO615NGHUMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Leistung max	2W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	PG-DSO-8
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO615NGHUMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSO615NGHUMA1-FT

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