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Infineon Technologies BSP125L6327HTSA1

Name: BSP125L6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP125L6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (799 reviews)

MFG-Teilenummer: BSP125L6327HTSA1

verfügbare Anzahl: 42130 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: SIPMOS® MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSP125L6327HTSA1.pdf

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BSP125L6327HTSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSP125L6327HTSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSP125L6327HTSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	SIPMOS®
BSP125L6327HTSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 Ohm @ 120mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 94µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.8W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-SOT223-4
Paket / fall	TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP125L6327HTSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSP125L6327HTSA1-FT

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