Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSP171PE6327
Herstellerteilenummer | BSP171PE6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSP171PE6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SIPMOS® |
BSP171PE6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.9A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 460µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP171PE6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSP171PE6327-FT |
IPU075N03L G
Infineon Technologies
IPU07N03LA
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IPU090N03L G
Infineon Technologies
IPU09N03LA G
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IPU09N03LB G
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IPU103N08N3 G
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IPU105N03L G
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IPU10N03LA
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IPU135N03L G
Infineon Technologies
IPU135N08N3 G
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel