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Infineon Technologies BSP295E6327T

Name: BSP295E6327T
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP295E6327T
Availability: InStock
Rating: 4.6 (610 reviews)

MFG-Teilenummer: BSP295E6327T

verfügbare Anzahl: 20170 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: SIPMOS® MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSP295E6327T.pdf

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BSP295E6327T Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSP295E6327T
Zukünftige Teilenummer	FT-BSP295E6327T
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	SIPMOS®
BSP295E6327T Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 400µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	368pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.8W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-SOT223-4
Paket / fall	TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP295E6327T Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSP295E6327T-FT

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