Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSP295L6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BSP295L6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSP295L6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SIPMOS® |
BSP295L6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 368pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP295L6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSP295L6327HTSA1-FT |
IPU105N03L G
Infineon Technologies
IPU10N03LA
Infineon Technologies
IPU135N03L G
Infineon Technologies
IPU135N08N3 G
Infineon Technologies
IPU13N03LA G
Infineon Technologies
IPU20N03L G
Infineon Technologies
IPU50R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU50R1K4CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU50R2K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU50R2K0CEBKMA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel