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Infineon Technologies BSP316PE6327T

MFG-Teilenummer
BSP316PE6327T
verfügbare Anzahl
63920 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
SIPMOS® MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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BSP316PE6327T Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSP316PE6327T
Zukünftige Teilenummer FT-BSP316PE6327T
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie SIPMOS®
BSP316PE6327T Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 680mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 680mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 170µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 146pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Paket / fall TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP316PE6327T Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSP316PE6327T-FT

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