Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSP372 E6327
Herstellerteilenummer | BSP372 E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSP372 E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SIPMOS® |
BSP372 E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 1.7A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±14V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP372 E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSP372 E6327-FT |
SPU03N60S5BKMA1
Infineon Technologies
SPU04N60C3BKMA1
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SPU04N60S5BKMA1
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SPU30P06P
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