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Herstellerteilenummer | BSS119E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSS119E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SIPMOS® |
BSS119E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 170mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 50µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS119E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSS119E6327-FT |
NDS355N
ON Semiconductor
SI2343DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2337ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SSM3K15F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BSS138NH6433XTMA1
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Infineon Technologies
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2N7002E-T1-GE3
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Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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