Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSS126H6327XTSA2
Herstellerteilenummer | BSS126H6327XTSA2 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSS126H6327XTSA2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SIPMOS® |
BSS126H6327XTSA2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 21mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 16mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 8µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 25V |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS126H6327XTSA2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSS126H6327XTSA2-FT |
SI2323DS-T1-E3
Vishay Siliconix
2N7002L
ON Semiconductor
SI2304BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDN338P
ON Semiconductor
SI2316BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2356DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2318AES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI2308BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
TP0610K-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2372DS-T1-GE3
Vishay Siliconix