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BSS670S2LH6327XTSA1 Image

Infineon Technologies BSS670S2LH6327XTSA1

MFG-Teilenummer
BSS670S2LH6327XTSA1
verfügbare Anzahl
10200 Stücke
Referenzpreis
USD 0.062144
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
BSS670S2LH6327XTSA1.pdf
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BSS670S2LH6327XTSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSS670S2LH6327XTSA1
Zukünftige Teilenummer FT-BSS670S2LH6327XTSA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
BSS670S2LH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 540mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 2.7µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.26nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3
Paket / fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS670S2LH6327XTSA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSS670S2LH6327XTSA1-FT

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