Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSS670S2LH6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BSS670S2LH6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSS670S2LH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSS670S2LH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 540mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 270mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 2.7µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS670S2LH6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSS670S2LH6327XTSA1-FT |
STT5N2VH5
STMicroelectronics
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IRLMS1503TR
Infineon Technologies
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IRLMS2002
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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XC4VLX60-12FFG1148C
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XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
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