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Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1

Name: BSS806NEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS806NEH6327XTSA1
Price: 0.082464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (619 reviews)

MFG-Teilenummer: BSS806NEH6327XTSA1

verfügbare Anzahl: 74440 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSS806NEH6327XTSA1.pdf

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BSS806NEH6327XTSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSS806NEH6327XTSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSS806NEH6327XTSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
BSS806NEH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	0.75V @ 11µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	1.7nC @ 2.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	529pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	SOT-23-3
Paket / fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS806NEH6327XTSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSS806NEH6327XTSA1-FT

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