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Infineon Technologies BSZ013NE2LS5IATMA1

Name: BSZ013NE2LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ013NE2LS5IATMA1
Price: 0.612384 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (447 reviews)

MFG-Teilenummer: BSZ013NE2LS5IATMA1

verfügbare Anzahl: 81330 Stücke

Referenzpreis: USD 0.612384

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 32A 8SON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf

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BSZ013NE2LS5IATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSZ013NE2LS5IATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSZ013NE2LS5IATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSZ013NE2LS5IATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	32A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3400pF @ 12V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8-FL
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ013NE2LS5IATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSZ013NE2LS5IATMA1-FT

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