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Infineon Technologies BSZ014NE2LS5IFATMA1

Name: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Price: 0.673704 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (530 reviews)

MFG-Teilenummer: BSZ014NE2LS5IFATMA1

verfügbare Anzahl: 67360 Stücke

Referenzpreis: USD 0.673704

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSZ014NE2LS5IFATMA1.pdf

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BSZ014NE2LS5IFATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSZ014NE2LS5IFATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSZ014NE2LS5IFATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	31A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.45 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 12V
FET-Funktion	Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8-FL
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSZ014NE2LS5IFATMA1-FT

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