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Infineon Technologies BSZ031NE2LS5ATMA1

MFG-Teilenummer
BSZ031NE2LS5ATMA1
verfügbare Anzahl
31830 Stücke
Referenzpreis
USD 0.367152
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 19A 8SON
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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BSZ031NE2LS5ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSZ031NE2LS5ATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-BSZ031NE2LS5ATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
BSZ031NE2LS5ATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 19A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 18.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 12V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Paket / fall 8-PowerTDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ031NE2LS5ATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSZ031NE2LS5ATMA1-FT

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