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Infineon Technologies BSZ042N06NSATMA1

Name: BSZ042N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ042N06NSATMA1
Price: 0.579776 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (279 reviews)

MFG-Teilenummer: BSZ042N06NSATMA1

verfügbare Anzahl: 72070 Stücke

Referenzpreis: USD 0.579776

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSZ042N06NSATMA1.pdf

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BSZ042N06NSATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSZ042N06NSATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSZ042N06NSATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSZ042N06NSATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	17A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 36µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8-FL
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ042N06NSATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSZ042N06NSATMA1-FT

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