Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSZ0502NSIATMA1
Herstellerteilenummer | BSZ0502NSIATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSZ0502NSIATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSZ0502NSIATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 43W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0502NSIATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSZ0502NSIATMA1-FT |
IPA65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R380E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K4CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R310CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel