Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSZ0502NSIATMA1
Herstellerteilenummer | BSZ0502NSIATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSZ0502NSIATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSZ0502NSIATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 43W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0502NSIATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSZ0502NSIATMA1-FT |
IPA65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R380E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K4CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R310CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel