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Infineon Technologies BSZ067N06LS3GATMA1

Name: BSZ067N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ067N06LS3GATMA1
Price: 0.411864 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (672 reviews)

MFG-Teilenummer: BSZ067N06LS3GATMA1

verfügbare Anzahl: 33960 Stücke

Referenzpreis: USD 0.411864

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSZ067N06LS3GATMA1.pdf

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BSZ067N06LS3GATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSZ067N06LS3GATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSZ067N06LS3GATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSZ067N06LS3GATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	14A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 35µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	67nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5100pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ067N06LS3GATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSZ067N06LS3GATMA1-FT

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