Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSZ067N06LS3GATMA1
Herstellerteilenummer | BSZ067N06LS3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSZ067N06LS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSZ067N06LS3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 14A (Ta), 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ067N06LS3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSZ067N06LS3GATMA1-FT |
SPP24N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP35N10
Infineon Technologies
SPP42N03S2L-13
Infineon Technologies
SPP42N03S2L13
Infineon Technologies
SPP47N10
Infineon Technologies
SPP47N10L
Infineon Technologies
SPP70N10L
Infineon Technologies
SPP73N03S2L08XK
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel