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Infineon Technologies BSZ086P03NS3EGATMA1

Name: BSZ086P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ086P03NS3EGATMA1
Price: 0.267304 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (566 reviews)

MFG-Teilenummer: BSZ086P03NS3EGATMA1

verfügbare Anzahl: 64680 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSZ086P03NS3EGATMA1.pdf

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BSZ086P03NS3EGATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSZ086P03NS3EGATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSZ086P03NS3EGATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSZ086P03NS3EGATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	13.5A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 105µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	57.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4785pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ086P03NS3EGATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSZ086P03NS3EGATMA1-FT

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