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Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1

MFG-Teilenummer
BSZ0910NDXTMA1
verfügbare Anzahl
61660 Stücke
Referenzpreis
USD 0.435272
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ DIFFERENTIATED MOSFETS
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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BSZ0910NDXTMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSZ0910NDXTMA1
Zukünftige Teilenummer FT-BSZ0910NDXTMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
BSZ0910NDXTMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 15V
Leistung max 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-PowerVDFN
Supplier Device Package PG-WISON-8
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ0910NDXTMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSZ0910NDXTMA1-FT

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