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Herstellerteilenummer | BSZ097N04LSGATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSZ097N04LSGATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSZ097N04LSGATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 35W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ097N04LSGATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSZ097N04LSGATMA1-FT |
IRF7821PBF
Infineon Technologies
IRF7821TR
Infineon Technologies
IRF7822PBF
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IRF7822TRPBF
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IRF7828PBF
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IRF7828TRPBF
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IRF7831TR
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IRF7831TRPBF
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IRF7832PBF
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
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