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Infineon Technologies BSZ180P03NS3EGATMA1
- MFG-Teilenummer
- BSZ180P03NS3EGATMA1
- verfügbare Anzahl
- 38480 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.204928
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- OptiMOS™ MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- BSZ180P03NS3EGATMA1.pdf
BSZ180P03NS3EGATMA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | BSZ180P03NS3EGATMA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-BSZ180P03NS3EGATMA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | OptiMOS™ |
| BSZ180P03NS3EGATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta), 39.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 48µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2220pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Paket / fall | 8-PowerTDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSZ180P03NS3EGATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | BSZ180P03NS3EGATMA1-FT |
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