Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSZ180P03NS3GATMA1
Herstellerteilenummer | BSZ180P03NS3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSZ180P03NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSZ180P03NS3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta), 39.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 48µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2220pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ180P03NS3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSZ180P03NS3GATMA1-FT |
BSC047N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC048N025S G
Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0501NSIATMA1
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BSC0502NSIATMA1
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BSC0503NSIATMA1
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BSC0504NSIATMA1
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BSC050N03MSGATMA1
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BSC052N03S G
Infineon Technologies
BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
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EP20K200EFC484-2XN
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5SGXEA5K3F40I3LN
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EP4CE6E22C8N
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LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel