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Herstellerteilenummer | BTS282Z E3230 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BTS282Z E3230 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TEMPFET® |
BTS282Z E3230 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 49V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
FET-Funktion | Temperature Sensing Diode |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | P-TO220-7-230 |
Paket / fall | TO-220-7 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS282Z E3230 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BTS282Z E3230-FT |
IPD85P04P407ATMA1
Infineon Technologies
IPD85P04P4L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S403ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N10S406ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N10S4L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD90P04P405ATMA1
Infineon Technologies
IPD90P04P4L04ATMA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel