Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BTS282Z E3230
Herstellerteilenummer | BTS282Z E3230 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BTS282Z E3230 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TEMPFET® |
BTS282Z E3230 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 49V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
FET-Funktion | Temperature Sensing Diode |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | P-TO220-7-230 |
Paket / fall | TO-220-7 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS282Z E3230 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BTS282Z E3230-FT |
IPD85P04P407ATMA1
Infineon Technologies
IPD85P04P4L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S403ATMA1
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IPD90N04S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N10S406ATMA1
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IPD90N10S4L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD90P04P405ATMA1
Infineon Technologies
IPD90P04P4L04ATMA1
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
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LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
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