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Herstellerteilenummer | BTW69-1200N |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BTW69-1200N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BTW69-1200N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 1.2kV |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 50mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 31A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 50A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 100mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 700A, 763A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TOP-3 |
Supplier Device Package | TOP3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTW69-1200N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BTW69-1200N-FT |
VS-ST330C16L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST230C16C0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST173C10CFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST173C10CFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST173C12CFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST173C12CFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180C12C0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180C16C0
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1BQU
Microchip Technology
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C7
Intel
M1AFS1500-FGG676I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
EPF10K10AQC208-2
Intel
EP4SGX230FF35C3
Intel