Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / BU808DFI
Herstellerteilenummer | BU808DFI |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BU808DFI |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BU808DFI Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 700V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500mA, 5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 400µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5A, 5V |
Leistung max | 52W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | ISOWATT-218-3 |
Supplier Device Package | ISOWATT-218 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BU808DFI Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BU808DFI-FT |
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LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V80-4FGG256I
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-PQ208I
Microsemi Corporation
APA600-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I2LN
Intel
XC2VP20-5FFG896I
Xilinx Inc.
EP3CLS70F780C8N
Intel
EPF6016QC208-3N
Intel
EP1SGX40GF1020C7
Intel